1550nm InGaAsP/InP DC-PBH激光器MOCVD生长

摘要：

采用全MOCVD生长工艺制作的DC-PBH结构的1550nmDFB激光器较过去的LPE工艺有利于降低阈值电流密度,提高激光器效率,本文通过低压MOCVD工艺研制1550nm InGaAsP/InP DC-PBH结构激光器材料.

关键词： 半导体激光器 金属有机化学气相淀积 工艺研制 MOCVD

作者: 潘彬 毛健 刘建军

作者单位: 武汉华工正源光子技术有限公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 45-46

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）