新型高纯铝源研制

摘要：

高纯铝源是先进的金属有机化学气相沉积技术外延生长化合物半导体的重要支撑材料之一,本文研究可以替代三甲基铝的有机铝源.

关键词： 高纯铝源 金属有机化学气相淀积 外延生长 化合物半导体 光电子器件

作者: 孔令宇 陈化冰 虞磊 潘毅

作者单位: 南京大学国家863计划新材料MO源研究开发中心(南京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 16-17

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）