Ⅲ/Ⅴ族MO源研究进展与展望

摘要：

MO源的研究和发展一直是MOCVD和CBE技术发展的核心问题之一,随着MOCVD技术的发展和化合物半导体产业步伐的加快,对MO源品质的要求越来越高.本文将围绕发展比较快的Ⅲ/Ⅴ族MO源,就近年来的发展分别进行总结和分析.

关键词： MO源 化学气相沉积 有机铝源 有机镓源 有机铟源

作者: 潘毅

作者单位: 国家863计划新材料MO源研究开发中心,南京大学化学化工学院(南京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 1-6

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）