改进的MOCVD生长AlGaN固溶体准热力学模型

摘要：

本文提出了一种改进的准热力学模型.计算结果与Clur等人、Matloubianh等人和Asif Kuhn等人的实验结果吻合.从改进的准热力学模型的计算结果可以看出,在输入TMGa和TMAl摩尔流量不变的情况下,AlGaN的组分不仅与生长温度、V/Ⅲ比、反应室压力、运载气体中N<,2>/H<,2>比等实验参数有关,而且与氨分解率和预反应进度有关.

关键词： MOCVD 金属有机化学气相淀积 化学热力学 外延生长

作者: 陆大成 段树坤

作者单位: 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 38-38

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）