平面型InGaAs/InP PIN光电二极管MOCVD材料生长

摘要：

本文通过COCVD技术生长了实用化的InGaAs/InP PIN外延材料.利用这些材料研制生产了InGaAs PIN探测器,器件的高性能反映出MOCVD材料具有较高的质量.

关键词： 光电二极管 MOCVD 材料生长 光通信

作者: 潘彬 毛健 刘建军

作者单位: 武汉华工正源光子技术有限公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 43-44

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）