高纯GaAs外延材料生长

摘要：

材料的纯度直接影响了化合物半导体外延材料的物理性质,进而影响器件的质量.通常情况下,本征材料的常温和低温霍耳迁移率反应了外延层的杂质含量.公司通过生长GaAs单晶外延层,测试其霍耳迁移率,从而反映出外延层中杂质类型和含量,达到考核金属有机物源中杂质质量的目的.

关键词： 高纯砷化镓 外延材料生长 金属有机物气相外延 霍耳迁移率 MO源

作者: 俞冬雷 徐昕 孙祥祯

作者单位: 江苏南大光电材料股份有限公司(苏州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

会议地点: 牡丹江

会议语种:中文

页码: 41-42

在线出版日期: 2003-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）