氮氢混合气氛退火诱发SrBi<,2>Ta<,2>O<,9>薄膜铁电性能退化机理研究
利用RT66A标准铁电测试仪,系统地研究了在氮氢混合气氛中退火前后,以及氧气恢复性退火前后SrBi<,2>Ta<,2>O<,9>(SBT)铁电薄膜的疲劳特性的变化.在疲劳特性测量中发现,当外加电压为6V和8V时,对于经过氮氢混合气氛退火的SBT薄膜,其归一化非挥发的剩余极化dP的值会随着极化反转的次数增加而逐渐增大,而在未经氮氢混合气氛退火处理的SBT薄膜上未观察到此现象.这个结果说明,经过氮氢混合气氛退火,在SBT薄膜内部形成了大量的弱的铁电畴的钉扎中心,同时,通过在氧气中的恢复性退火实验证实了,这种钉扎中心的起源是SBT薄膜中的氧空位.
氮氢混合气氛 铁电薄膜 疲劳特性 半导体 集成电路
于涛 王东生 吴迪 李爱东 夏奕东 胡安 刘治国 闵乃本
南京大学固体微结构物理国家重点实验室(南京)
国内会议
厦门
中文
756-757,764
2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）