氮气氛保护下直拉硅单晶的直径控制

摘要：

在大直径硅单晶生长中，直径控制是十分关键的，它直接影响单晶的成品率。影响直径控制好坏的因素很多，而保护气氛的种类、流量和压力等是影响直径控制的重要因素。采用浙江大学的专利工艺－－－减压氮保护硅单晶生长，不但对硅片的机械性能、电学性能有极大的提高，而且对单晶的直径控制亦有利。该文正是研究了这方面的机理。

关键词： 氮气 保护 硅单晶 直径 工艺

作者: 沈益军 赵松宏 肖世豪 杨光宇

作者单位: 大学半导体厂

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年全国半导体硅材料学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 73～74

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）