氮化物宽禁带半导体—第三代半导体技术
简要回顾了氮化物半导体的主要特征和应用前景，目前国际上和国内的主要研究现状，市场分析与预测。由此可以看出，氮化物的研究已经成为高科技领域国际竞争的制高点之一。做为第三代半导体技术，有形成高科技巨大产业群的可能性，也存在着激烈的竞争和难以预测的风险。
氮化物 宽禁带半导体 闪锌矿结构 禁带宽度
张国义 李树明
北京大学物理系介观物理国家重点实验室 北大蓝光科技股份有限公司
国内会议
厦门
中文
17～19
2000-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）