NH<,3>-MBE生长极化场二维电子气材料

摘要：

介绍了用NH<,3>-MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GaN/AlN/GaN 极化感应二维电子气材料。外延膜都是N面材料。形成的二维电子气是“倒置二维电子气” 。GaN单层膜的室温电子迁移率为300cm<”2>/Vs。二维电子气材料的迁移率为680cm<”2>/Vs(RT)和1700cm<”2>/Vs(77K)，相应的二维电子气的面密度为3.2×10<”13>cm<”-2>(RT)和2.6×10<”13>cm<”-2>(77K)。

关键词： 氮化镓 分子束外延 二维电子气 极化

作者: 孙殿照 刘宏新 王军喜 王晓亮

作者单位: 中国科学院半导体所材料中心(北京) 中国科学院 半导体所材料中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 350～353

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）