氮化硅膜的微观结构与应力分析
利用透射电镜分析了采用LPCVD法生长的SiN〈,X〉膜的微观结构与薄膜应力之间的关系,首次报导了利用LPCVD方法生长的SiN〈,X〉膜中存在着微观的取向结构,并通过SiN〈,X〉的背腐蚀结果确定该结构与SiN〈,X〉膜的应力有关。
氮化硅膜 微观结构 LPCVD 织态结构
陈大鹏 叶甜春 赵铃莉 韩敬东 李兵 谢常青
科学院微电中心(北京) 科学院微电中心
国内会议
长沙
中文
452~453
1999-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)