氮化硅层在GaN外延生长中的作用

摘要：

该文分析了硅表面形成的氮化硅层在GaN外延生长中的作用，XPS分析表面衬底在900℃氮气氛中氮化10分钟后，表面覆盖着一层氮化硅，RHEED表明这层氮化硅为非晶态,外延生长后的XRD的测试分析表明该氮化硅呈一种高度择优取向的结晶状态。有无氮化硅覆盖层的GaN外延薄膜的XRD的对比分析表明该薄氮化硅层提高了GaN外延薄膜的晶体质量。

关键词： 氮化硅层 GaN 外延生长 薄膜

作者: 叶志镇 张昊翔 赵炳辉 刘红学

作者单位: 大学硅材料国家重点实验室(杭州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 40～42

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）