氮化硅薄膜的表面平整度特性

摘要：

该文利用偏心静电单探针诊断了反应室内的等离子体密度的空间分布;由Telystep-Hobbso轮廓仪研究了ECR-PECVD制备的Si<,3>N<,4>薄膜的表面特性。结果表明ECR-PECVD制备的氮化硅薄膜是一种表面均匀平整度好的薄膜。

关键词： 氮化硅薄膜 表面平整度

作者: 陶孟仙 陈俊芳 任兆杏

作者单位: 大学物理系 师范大学物理系 科学院等离子体物理研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国核学会核聚变与等离子体应用学术讨论会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 274～282

在线出版日期: 1998-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）