会议专题

含MgO和CeO<,2>的氮化硅无压烧结及性能

对氮化硅无压烧结的工艺进行了初步研究,MgO和CeO<,2>作为烧结助剂有利于氮化硅的无压烧结过程,并提高其致密度,并分析了Si<,3>N<,4>粉末形貌及粒度分布与其制品性能之间的关系,讨论了各种工艺参数以及MgO和CeO<,2>的含量对氮化硅的致密化及力学性能的影响。无压烧结的Si<,3>N<,4>-MgO-CeO<,2>陶瓷,其相对密度可超过98℅,抗弯强度达到900MPa,已成功地应用于切削刀具、结构零件等领域。

氮化硅 无压烧结 力学性能

肖钢

株洲硬质合金厂技术中心

国内会议

第四届全国工程陶瓷学术年会

广东佛山

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79-83

1999-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)