氮化镓基电子与光电子器件

摘要：

GaN具有宽禁带、高击穿电压、异质结沟道中高峰值电子漂移速度和高薄层电子浓度等特点，是大功率和高温半导体器件的理想化合物半导体材料。宽禁带Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的性能和研究进展已经使大功率紫外光／蓝光／绿光光发射二极管走向商业市场，证明InGaAs/GaN/AlGaAs紫罗兰色异质结激光器能够在室温和脉冲或连续波条件下工作，是性能优越的光电器件的理想材料。该文综述了上述研究成果。

关键词： 氮化硅 发光管 激光管 场效应管 异质结双极晶体管

作者: 李效白

作者单位: 专用集成电路国家重点实验室(石家庄)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 218～227

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）