HgCdTe分子束外延材料电学性能

摘要：

该文报道了分子束外延(MBE)HgCdTe薄膜材料的电学性能的最新结果，从材料电学性能的均匀性、时间稳定性及热处理的可调性的角度分析了MBE技术的制备红外焦平面列阵器件(IRFPAs)上所具有的独特优势和潜力。分析表明：P型热处理MBE-HgCdTe材料纵向电学性质均匀且不随时间推移而变化，这些品质是制备红外焦平面列阵器件必须的。

关键词： 红外焦平面列阵器件 HgCdTe 分子束外延 电学性能

作者: 杜 王善力 陈新强 方维政

作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所, 红外物理国家重点实验室及半导体薄膜材料研究中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国红外科学技术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

在线出版日期: 2000-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）