HgCdTe分子束外延衬底温度的辐射研究
HgCdTe MBE生长的温度稳定性对于MCT的晶体质量起着重要的作用。研究结果表明；对于HgCdTe材料，组分不同使得材料的吸收系数发生变化，材料的发射率发生变化，因而表面辐射量不同：通过计算2-2.6um波段的辐射量变化发现，不同组分的HgCdTe材料，测温仪等到的温度读数经过几个振荡后趋于稳定，达到稳定所需要的时间随HgCdTe的组分不同而不同，小组分HgCdTe的温度读数振荡范围较小，周期稍长一些，达到稳定温度的时间比较短。工作人员利用红外辐射测温的方法获得样口表面温度的波动较小（小于±1℃），完
辐射 衬底温度 分子束外延 HgCdTe
国内会议
北京
中文
2000-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）