LPE Hg1-xCdxTe薄膜生长工艺的研究

摘要：

该文介绍昆明物理研究所开管、水平滑块、富Tc源方式下，生长 Hg1-xCdxTe(MCT)薄膜的液相外延(LPE)工艺技术，对外延膜的一些特性进行了分析。相外延，碲锅汞。

关键词： 薄膜生长

作者: 董先庆 黄晖 莫玉东 欧明娣 陈建才 雷春红

作者单位: 昆明物理研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国红外科学技术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

在线出版日期: 2000-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）