测量半导体中少子漂移迁移率和扩散长度的新方法

摘要：

根据少子衰退的加速度分布，提出了一种测量半导体中少子漂移迁移率的新方法。实测了窄禁带半导体碲镉汞的少子迁移率和扩散长度。

关键词： 光电导 少子 迁移率

作者: 方家熊 李言谨

作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国红外科学技术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

在线出版日期: 2000-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）