HgCdTe/CdTe界面组分互扩散研究

摘要：

该文尝试椭偏测量的方法，通过对HgCdTe/CdTe/GaAs样品进行剥层腐蚀，获得样品在不同厚度下的椭偏光谱。对测得的光谱进行组分分析，得到HgCdTe/CdTe样品的组分在不同厚度下的分布。并根据上述结果对Zanio的提出扩散系数公式(1)进行修正，最终得到490℃的组分互扩散系数。D(x)=4×10<”-3>×10<-3x>

关键词： 组分互扩散 高温退火 HgCdTe MBE外延材料

作者: 于梅芳 王善力 方维政 陈新强 杨建荣 巫艳

作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所材料中心(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国红外科学技术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

在线出版日期: 2000-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）