砷注入碲镉汞P-on-N结特性研究

摘要：

工作人员用砷离子注入N型碲镉汞材料，通过高低温两步退火以激活砷离子，成功制备了平面P-on-N结。工作人员对P-on-N结的结特性进行了一些研究。目前，对于λ<,c>=5.2μm器件，R<,0>A值达到68Ω-cm<”2>，黑体探测率D<”.,bb>(500K)可达2×10<”10>cm-Hz<”1/2>/W；对于λ<,c>=14.5μm的器件，R<,0>A值达到0.2Ω-cm<”2>，黑体探测率D<”.,bb>(500K)可达1×10<”10>cm-Hz<”1/2>/W。

关键词： 结构分析 P-on-N结 碲镉汞

作者: 陆慧庆 胡晓宁 李向阳 赵军

作者单位: 中国科学院传感技术国家重点实验室, 上海技术物理研究所 中国科学院传感技术国家重点实验室, 上海技术物理研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国红外科学技术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

在线出版日期: 2000-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）