质子辐照制备HgCdTe光电二极管的性能研究
同质子辐照P型碲镉汞材料的方法成功地制备了n-on-p型短波与中波光伏器件，其中中波器件的载止波长为6.5mm，黑体探测率达2.3×10<”10>cmHz<”0.5>W<”-1>，量子效率为28％，其R<,0>A在175Ω·cm。对辐照前后材料和器件的载止波长变化作出了初步解释。C-V特性研究发现其为突变结，其噪声频谱表明在低频(<300Hz)时主要时1/f噪声限制，在中频和高频时主要是白噪声限制。短波器件和电流电压特性表明器件在室温可承受15V的反向偏压。
性能分析 n-on-p结 碲镉汞 质子辐照
陆慧庆 赵军 李向阳 胡新文
中国科学院传感技术国家重点实验室上海技术物理研究所(上海)
国内会议
北京
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2000-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）