Hg<,1-x>Cd<,x>Te/GaAs光伏中波红外探测器的变温特性研究

摘要：

为研究能在较高温度(140-200)工作的光伏红外探测器，在GaAs衬底上MBE生长的Hg<,1-x>CdTe(x=0.31)p型材料上制作了光伏器件，研究了其在77K—220K温度间的变温特性，并与InSb器件进行了比较。

关键词： 变温特性 红外探测器 中波 光伏 Hg<,1-x>CdTe

作者: 苏现军 吴伟 孙维国 鲁正雄 彭震宇

作者单位: 航空工业总公司北014中心(河南)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国红外科学技术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

在线出版日期: 2000-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）