P型薄层GaAs中少数载流子寿命的研究

摘要：

文中还探讨了可用波长为0.53μm，单脉冲宽度小于10PS的YAG激光器作为激光发源，激发GaAlAa/GaAs/GaAlAs/玻璃结构的样品，建立了测量GaAs层中非平衡少数栽流子寿命的实验装置，并获得了部分测量结果。通过求解非稳态的少数能影响器件性能的若干重要因素。

关键词： 载流子 寿命测量 数值模拟 砷化镓

作者: 米侃 张工力 赛小峰 侯洵

作者单位: 中国科学院西安光学精密机械研究所半导体光电器件研究室(西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国光学学会98年中国青年光学学术研讨会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 25-30-30

在线出版日期: 2000-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）