P型Si上电沉积Ni-W-P合金薄膜

摘要：

首次采用恒电流电沉积方式在P型Si(111)上制备出Ni-W-P合金薄膜。考察了电沉积条件对镀层组成的影响，确定了制备表面致密、具有良好结合力的Ni-W-P合金薄膜的最佳工艺条件。

关键词： P型硅 半导体膜 P型半导体 硅上镀 Ni-W-P薄膜 金属薄膜 镀合金 电沉积 Ni-W-P合金 P型Si

作者: 张卫国 王宏智 姚素薇

作者单位: 天津大学应用化学系

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国表面工程协会电镀分会第五届年会

会议地点: 合肥

会议语种:中文

在线出版日期: 1998-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）