通过改变S％(Au)探测器灵敏区厚度鉴别带电粒子的方法及应用研究
该文重点研讨通过改变探测器偏压，进而改变探测器的PN节（有效探测灵敏区）厚度，实现对带电粒子的种类和能量鉴别的实验方法及实际应用。实验测量了3MeV质子和6.05MeVa粒子在金硅面垒探测器S％(Au)中的能损与探测器偏压关系曲线。同时利用刻度过的探测器鉴别氘离子事轰击氘钛(T％D<,x>)靶发射的带电粒子能谱。在很强的本底情况下通过调节探测器偏压（灵敏区厚度）实现了对能量相近的不同带电粒子的有效鉴别和测量。
金硅面垒探测器 带电粒子鉴别 D-D反应 D-T反应
高东风 王志国 王铁山
中国科学院近代物理研究所(兰州)
国内会议
大连
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1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）