原位氮掺杂对CVD金刚石薄膜生长和结构的影响
以氮气为杂质源,采用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)技术进行了金刚石薄膜的原位掺杂,研究了氮掺杂对CVD金刚石薄膜的形貌结构和生长行为的影响.运用SEM、XRD和FTIR等手段对样品进行分析表征.实验结果表明,原位氮掺杂的CVD金刚石薄膜的晶面显露、晶粒尺寸、致密性和生长速率等均强烈地依赖于反应气体中氮源浓度比;如果氮源气体流量适当,杂质氮不仅能进入金刚石薄膜晶格中,还能与薄膜中碳原子形成化学键结合.
氮掺杂 CVD金刚石薄膜 结构特性 薄膜生长
邵乐喜 刘小平 屈菊兰 谢二庆 贺德衍 陈光华
湛江师范学院物理系 测试中心(广东湛江) 兰州大学物理科学与技术学院(甘肃兰州) 北京工业大学材料科学与工程学院(北京)
国内会议
厦门
中文
1487-1489
2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）