铟镓砷PIN光电探测器辐照γ射线和质子损伤机理的研究
该文是用电子十三所研制的长波长红外探测器InGasPIN进行r射线和质子辐照的研究。R射线的最高剂量是3E6rad(Si)。辐照结果表明器件暗电流略有增大。击穿电压基本不变，响应度变化在30℅以内。在2MeV质子能量辐照下，采用不同的剂量辐照结果表明在1*10<”15>/im<”2>下，器件全部损伤。当剂量减小，损伤程序减小。当剂量小于1*10<”10>/im<”2>时，器件性能参数基本不变。实验证明当有屏蔽时，器件损伤大大减轻，该文还对器件损伤机理进行了分析。这些实验结果对InGasPIN器件在宇航通讯中有重要意义。
InGasPIN r射线 质子 辐照 损伤机理
李光颜
信息产业部电子十三所(石家庄)
国内会议
江苏扬州
中文
50～54
1999-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）