InGaN光致发光性质与温度的关系

摘要：

分析了用金属有机物气相外延方法(MOVPE)在蓝宝石衬底上生长的铟镓氮(InGaN)的光致发光(PL)性质。发现在4.7K至300K范围内，随着温度升高，InGaN带边辐射向低能方向移动，峰值变化基本符合Varshni 经验公式：同时InGaN发光强度虽有所衰减，但比GaN衰减程度小，分析了导致GaN和InGaN光致发光减弱的可能因素。

关键词： InGaN 光致发光 温度影响

作者: 樊志军 刘祥林 万寿科

作者单位: 科学院半导体研究所半导体材料开放实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 108～110

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）