基于InGaAsP/InP材料的M-Z型高速光调制器的基本理论问题

摘要：

该文分析了基于lnGaAsP/InP量子阱材料的Mach-Zehnder(M-Z）型光调制器的若干基本问题，对其中弯曲波导的有关结构参数进行了优化计算。并根据计算的结果设计了用于InGaAsP／InP多量子阱M-Z光调制器的弯曲波导结构。此外提出了分支结构的优化，M-Z光调制器的优化等基本问题。

关键词： InGaAsP/InP材料 M-Z型高速光调制器

作者: 郝智彪 罗毅

作者单位: 光电子学国家重点联合实验室,清华大学电子工程系

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 318～321

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）