Ｂｅ〈’＋〉注入ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ形成Ｐ型层与检测
为了研制光纤通讯用光电三极管，需要在ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ材料中形成Ｐ型基区。选用８０ＫｅＶ４．５×１０〈’１２〉／ｃｍ〈’２〉Ｂｅ〈’＋〉１６０ｋｅＶ４×１０〈’１２〉／ｃｍ〈’２〉Ｂｅ〈’＋〉离子注入ｎ型ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ材料中进行补偿而得到Ｐ型区，Ｃ－Ｖ测试栽流子剖面分布有比较理想的结果，实现了在２７０－６１０ｎｍ深度上的Ｐ型层。为了制作光电晶体管，要腐蚀至Ｐ区，制作基极欧姆接触，在腐蚀速度未知的情况下，根据肖特基接触的原理，用两探针方法进行检测，确定了实际工艺过程中的条件，得到了良好的发射极特性。
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ 离子注入 两探针检测方法 肖特基接触
杨茹 李国辉 朱红青 曾一平 张方方
师范大学低能物理研究所(北京) 院半导体所北京福射中心
国内会议
长沙
中文
220～222
1999-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）