InAs/GaAs低维结构中载流子的快速俘获和弛豫

摘要：

该文用飞秒时间分辨激发--探测技术研究了InAs/GaAs异质结构中的非平衡载流子的快速俘获和弛豫过程。

关键词： InAs/GaAs低维结构 载流子 快速俘获 弛豫

作者: 李晴 许继宗 徐仲英 葛惟尼

作者单位: 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室(北京) 香港科技大学物理系

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国分子束外延学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 169-170

在线出版日期: 1999-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）