会议专题

热退火InAs/GaAs量子点材料中砷沉淀的研究

用透射击电子显微镜和Raman散射谱对InAs/GaAs量子点材料在退火过程中微观结构的行为进行了研究,实验结果表明五周期的InAs/GaAs量子点材料在砷压下,经700℃,60分钟退火后,其GaAs盖层的表面上出现了岛状沉淀物,显示出规则的Moire条纹,通过衍射衬底的分析可鉴定沉淀物为与基体GaAs具有半共格关系的砷晶粒,Raman散射谱的测量表明退火材料中出现了与砷晶粒相关的附加峰,证实了该材料系在所用的热退火条件下存在着应变增强的快速扩散,导致了表面砷沉淀的形成。

InAs/GaAs 量子点材料 砷沉淀

范缇文 莫庆伟 王占国

中国科学院半导体研究所材料科学实验室(北京)

国内会议

第五届全国分子束外延学术会议

昆明

中文

147-149

1999-06-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)