InAs Hall器件和GaAs Hall器件的性能比较

摘要：

研究人员利用在GaAs衬底上MBE生长的高迁移率的InAs薄膜，成功地制备了InAs Hall器件。在内阻相同的情况下，InAs Hall器件的灵敏度是GaAs Hall器件的1.5倍，内阻温度特性也比GaAs Hall器件好的多，因此InAs Ha1l器件有很好的应用前景。

关键词： InAs Hall器件 GaAs Hall器件 性能比较

作者: 周宏伟 曾一平

作者单位: 科学院半导体所三室

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 213～215

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）