In0.5Ga0.5P/GaAs二维空穴气p沟异质结场效应管

摘要：

该文提出了一种新颖的GaAs基p沟异质结场效应管（pHFET）概念，器件采用了In0.5Ga0.5P/GaAs异质系统及二维空穴气（2DHG）原理以改善GaAs的主穴输运特性。据此原理研制的器件可在室温下工作，其实验结果为：室温下，饱和电流Idss=61mA/mm，跨导gm=41mS/mm;77K下，饱和电流Idss=94mA／mm，跨导gm=61mS/mm。这一结果远好于国外同行采用AlGaAs／GaAs和AlGaAs/InGaAs异质系统取得的pHFET的早期结果。预计该器件在微波和数字电路中极佳的电流密度及高频增益，因而具有良好的应用潜力。

关键词： In0.5Ga0.5P/GaAs二维空穴气 p沟异质结场效应管

作者: 电子器件研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 216～219

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）