GaAs窗口晶体位错分布及其对红外透射的影响
LEC法生长的轻掺铬高阻GaAs晶体熔融KOH腐蚀坑SEM观察结果表明,轻掺Cr-GaAs晶体位错的径向分布呈”W”型.这是由于GaAs单晶生长过程中,晶体中的热弹应力的”W”分布和位错大量增殖时所需的临界应力共同作用的结果.红外透射测量结果表明:当位错密度不太高时,位错引入的电子态的体密度低,位错的径向分布对红外透过率的影响很小;当位错密度很高时,其对红外透过率的影响不可忽视.
GaAs晶体 SEM 位错分布 红外透射
黎建明 屠海令 郑安生
国家半导体材料工程研究中心北京有色金属研究总院(北京)
国内会议
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199-201
2003-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)