质子注入单晶硅中的结构演化

摘要：

采用离子注入技术将大量的质子引入到单晶硅中,通过透射电子显微镜和光学显微镜的观察,在注入质子的硅片中,片状缺陷导致晶格的损伤,退火过程中,质子复合成氢分子并聚集,产生巨大的内压力,在表面产生气泡和裂坑;高温退火容易使氢逸出,导致内部压力的降低,气泡突起变小;质子注入硅片在低温退火后的内部形成裂纹,而高温退火内部还形成带有非晶化内壁的空腔结构.

关键词： 离子注入 单晶硅 低温退火 高温退火 晶格缺陷

作者: 肖清华 王敬 屠海令

作者单位: 北京有色金属研究总院(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第5届学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 196-198

在线出版日期: 2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）