低应变SiGe/Si异质结构的应变弛豫与界面扩散

摘要：

利用透射电子显微镜(TEM)和同步辐射X射线白光形貌术研究了低应变SiGe/Si异质结构应变弛豫和界面扩散.观察到SiGe外延层未发生应变弛豫,Si缓冲区和Si衬底中有颗粒状析出物.

关键词： 透射电子显微镜 同步辐射X射线白光形貌术 应变弛豫 界面扩散 SiGe/Si异质结构

作者: 马通达 屠海令 王敬 陈长春 黄文韬

作者单位: 北京有色金属研究总院(北京) 清华大学微电子所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国有色金属学会第5届学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 194-195

在线出版日期: 2003-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）