半导体硅材料的电火花加工技术研究
从硅材料的物理性能出发,分析了其微细电火花加工的可行性.在未掺杂单晶硅和掺杂的N型硅上进行了电火花加工工艺试验研究.得出了掺杂的N型硅有很好的微细电火花加工性能的结论.而且,硅材料在电火花加工机理上除了熔化与汽化外,还有比较明显的热剥蚀作用.为了得到没有裂纹的硅表面,必须将单脉冲放电能量控制得尽可能的低.最后,成功地在硅片上加工出了宽度为23μm的微细梁和边长为60μm、高度约为200μm微方台.
电火花加工 硅 微三维结构 半导体 硅材料
王振龙 夏良俊 赵万生
哈尔滨工业大学机电工程学院(黑龙江哈尔滨)
国内会议
苏州
中文
9-12
2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）