TiAl渗硅层形成机理的研究

摘要：

用扫描电镜和X-射线能谱仪对分别经过两种不同渗剂(15％Si+85％Al<,2>O<,3>和15％Si+85％ZrO<,2>)包埋渗硅后的两组Ti-48Al试样进行了组织观察和结构分析.实验结果表明:在这两组试样表面均形成一复合渗层.外层为连续致密的Al<,2>O<,3>层,并有大量的Si颗粒黏附于试样表面;内层主要是Ti<,5>Si<,3>层,并在其基体上分布着一定量的粒状Al<,2>O<,3>.故可推断渗层中的Al<,2>O<,3>是由基体中的Al原子与气氛和基体中的残余O反应所形成的.

关键词： TiAl基合金 化学热处理 显微组织 渗硅

作者: 马晓霞 梁伟 赵兴国 石巨岩 边丽萍

作者单位: 太原理工大学材料科学与工程学院(太原)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八次全国热处理大会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 587-589

在线出版日期: 2003-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）