AlGaAs/GaAs多量子阱表面光伏的真空特性

摘要：

测量AlGaAs/GaAs多量子阱在不同真空度中的表面光伏谱,研究半导体量子阱表面态的真空敏感机理.半导体量子阱表面光伏与真空度有关,主要是由于表面吸附的氧原子的作用.

关键词： 半导体量子阱 表面光伏 真空特性

作者: 朱文章 刘慧英

作者单位: 集美大学计算科学与应用物理系(福建厦门)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届华东六省一市物理学联合年会

会议地点: 泰安

会议语种:中文

页码: 76-77

在线出版日期: 2003-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）