a-Si:H/SiO<,2>多层膜中的脉冲激光诱导限制结晶

摘要：

利用等离子增强化学气相淀积(PECVD)技术制备a-Si:H/SiO<,2>多层膜,并采用脉冲激光诱导限制结晶的方法,对a-Si:H/SiO<,2>多层膜进行晶化.喇曼(Raman)散射谱的结果表明经过激光辐照后纳米硅颗粒在原始的a-Si:H子层形成,且尺寸可以精确控制.

关键词： 脉冲激光 多层膜 限制结晶

作者: 乔峰 隋妍萍 马忠元 李鑫 严晓明 黄信凡 陈坤基

作者单位: 南京大学物理系(江苏南京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届华东六省一市物理学联合年会

会议地点: 泰安

会议语种:中文

页码: 63-64

在线出版日期: 2003-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）