集成电路ESD介质击穿过程中击穿电荷物理模型研究

摘要：

在集成电路绝缘氧化层静电放电(ESD)介质击穿物理模型的基础上,讨论并建立了击穿电荷的数学物理模型,给出了击穿电荷与氧化层表面累积电荷密度的关系式.

关键词： 击穿电荷 介质击穿 集成电路 绝缘氧化层 物理模型

作者: 孙可平 李学文

作者单位: 上海海运学院静电与电磁兼容研究室(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届华东六省一市物理学联合年会

会议地点: 泰安

会议语种:中文

页码: 1-2

在线出版日期: 2003-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）