对硝基苯腈薄膜的超高密度信息存储研究

摘要：

采用扫描隧道显微镜(STM)在单体有机薄膜材料p-nitrobenzonitrile上进行超高密度信息存储的研究.通过在STM针尖和HOPG基底上的薄膜之间施加电压脉冲进行信息点的写入.信息点的大小小于1nm.信息点记录图案非常稳定.电流-电压(I-V)特征曲线表明信息存储区域具有导电特性,而非储存区域具有高电阻特性.在PNBN单体有机薄膜上的存储机制可能是电压脉冲引起的薄膜局域聚合.

关键词： 单体有机薄膜 扫描隧道显微镜 信息存储 STM

作者: 时东霞 张昊旭 江鹏 解思深 庞世瑾

作者单位: 中科院物理所凝聚态物理中心北京真空物实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第四届全国微米/纳米技术学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 371-373

在线出版日期: 2000-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）