IGBT寄生缺陷的影响及其消除对策

摘要：

该文在分析IGBT内部寄生缺陷的基础上给出了IGBT动静态擎住效应产生的机理，并据此给出了适用于静止变频电源的IGBT擎住实用保护措施和驱动保护逻辑框图。

关键词： IGBT 寄生缺陷 变频装置 绝缘栅场效器件 动态擎柱效应 保护措施

作者: 吴保芳 周俊

作者单位: 雷达学院

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国电气自动化、电控系统学术年会

会议地点: 天津

会议语种:中文

页码: 182～186

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）