3～4Ghz单片集成压控衰减器

摘要：

论述了一种GaAs MESFET单片集成压控衰减器的研制过程，包括参数设计，结构设计，工艺设计等。该衰减器主要指标为：频率3～4GHz，衰减量≥30dB，插损≤1.8dB，驻波≤1.9。

关键词： 单片 GaAsMESFET 压控衰减器

作者: 陈红莉 于玲莉

作者单位: 工业部第十三研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: ”98全国第七届MIC电路及工艺会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 60～63

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）