静态存储器单粒子翻转截面数值仿真研究
该文针对SRAM器件提出了单粒子效应的计算机仿真计算方法。采用宇宙射线重离子与电子器材相互作用的几率模型，在部分地面模拟试验数据基础上，通过数值计算，可得到SRAM器件的σ－LET曲线。仿真计算结果与试验结果的比较分析表明，仿真计算出的σ－LET曲线可应用在SRAM器件空间翻转率的预示分析上，预示结果与美国海军实验室研制的CREME的计算结果十分吻合。研究成功的仿真计算软件地应用于航天抗辐射加固设计上。
单粒子效应 计算机仿真 模型 静态存储器
曹洲 颜则东 宋恒杰
航天工业总公司五院五一零所(兰州)
国内会议
江苏扬州
中文
436～446
1999-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）