中子引起单粒子翻转的Monte Carlo计算模拟

摘要：

单粒子翻转效应的研究目的在于研究计算机CPU和存储器受高能中子、质子等粒子辐照后软错误发生的概率，为计算机系统抗辐射加固提供数值模拟方法和参考数据。本文从中子与硅原子相互作用的物理机理出发，引入随机数，利用MonteCarlo方法编制了中子引起的单粒子翻转截面的计算模拟程序。本文介绍的单粒子翻转的Montc Carlo计算模拟程序可为14 MeV中子环境下的16K位静态存储器硅片翻转提供截面和描述内部物理过程的参考数据。

关键词： 单粒子翻转 Montc Carlo模拟 计算模拟程序

作者: 李华

作者单位: 核技术研究所（西安）

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第四届青年学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 758～761

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）