单晶硅材料中的位错研究

摘要：

通过低温压痕和高温热处理实验，研究了硅单晶塑性变形产生的位错滑移特点以及氮杂质与位错的相互作用。实验结果表明，位错的滑移距离随塑性变形能的增加而增加；同时含氮元素的单晶中位错滑移距离也比普通单晶中的短。并且讨论了塑性变形能对位错滑移的影响，以及氮原子对位错滑移起到的阻碍作用。

关键词： 单晶硅 位错

作者: 李东升 杨德仁 李先杭

作者单位: 大学硅材料国家重点实验室(杭州玉泉)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 47～50

在线出版日期: 1999-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）