二次曝光法测量单晶硅的弹性矩阵

摘要：

利用二次曝光法，在外力作用下对以(100)面单晶硅为样品所构造的四点简支梁模型的应变进行了测量，并分析了样品的主应力，从而得出该样品的一个弹性常数，对反应应力与应变关系的弹性矩阵示性曲面进行了初步探索。

关键词： 单晶硅 二次曝光法 主应力 应变 弹性常数

作者: 李大海 郭文胜 王卫军

作者单位: 四川大学光电系(成都)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国光学学会全息专委会年会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 97～98

在线出版日期: 1999-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）